High performance RF ion source with ion assisted evaporation RF射頻/霍爾/考夫曼離子源
RF 離子源
為反應(yīng)性工藝（例如高度控制的光學(xué)鍍膜的離子束輔助沉積或離子束沉積）提供寬而均勻的離子束源。
在惰性和氧化環(huán)境中均能實現(xiàn)可靠一致的操作。
穩(wěn)定高效的等離子體操作具有精確控制能力并允許高重復(fù)性。
非常適合于負載鎖定生產(chǎn)工藝。
無極放電，壽命長，工作長時間穩(wěn)定。
工作高度達1米。
離子能量及離子束流密度可以精確控制且變化范圍大。
霍爾離子源
專為真空鍍膜制程提供高射束電流，從而提高制程均勻性并防止基材受損，實現(xiàn)表面預(yù)清潔、輔助沉積及選擇性蝕刻。
對需要高電流、低能量離子的應(yīng)用非常有效。
高射束電流對于控制薄膜應(yīng)力和化學(xué)計量特別有用。
離子能量發(fā)散，離子束發(fā)散，有較大均勻區(qū)。
離子能量低，離子束流密度較大。
結(jié)構(gòu)簡單，拆卸方便。
考夫曼離子源
離子能量，束密可精確控制，不受環(huán)境影響。
放氣量小，污染較小。
工作溫升低，可冷鍍。
