HCVAC專有的陰極技術和平臺專為批量生產中的高速率和長目標壽命而設計，以最低的擁有成本。我們根據整個核心市場的基板格式，工藝和產量以及客戶工廠集成需求提供垂直和水平濺射生產解決方案.
水平濺射架構：這只是Hcvac提供的一系列核心工藝功能和具有水平濺射功能的平臺的一小部分
沉積用于MEMS，無線通信和LED的高性能AlN（和AlScN）層-
沉積用于晶圓級光學（WLO）的高通量光子學應用的精密光學疊層-
沉積高級封裝中的金屬層和疊層（UBM / RDL ），電源設備，無線通信，晶圓級EMI屏蔽或PCB接種
HCVAC的濺射功能，分別支持最大200mm，300mm，380mm和650mm的基板格式。
高速率直流，直流脈沖，DC / RF源，帶有可選偏置
“多”濺射技術，具有多達4個源，用于合金和化合物的共沉積
專有的源技術包括“ Penta Plus”和多達6個濺射陰極，可實現出色的階梯覆蓋
用于光學應用中的TSV工藝和定制硬涂層工藝的高度電離濺射（HIS）技術
集成了先進的過程控制技術，包括等離子發射監視（PEM）和用于過程控制的光學監視技術
盒式磁帶到盒式磁帶的處理
垂直濺射架構
矩形陰極技術可在垂直濺射平臺上使用，可在MEMS，光電子和光子學應用中高效批量生產TCO，金屬，電介質和對準的磁性膜，最大基板尺寸為380 X 560mm。
基板尺寸之間的簡單交換，可快速改變生產要求
電話：13316689188
